真空離子鍍膜技術(簡稱離子鍍)是由美國Sandin公司的D.M.Mottox開發的將真空蒸發和真空濺射相結合的一種新鍍膜技術。

　　離子鍍技術的一個重要特征是在基片上施加負偏壓，用來加速離子，增加調節能量。

　　負偏壓的供電方式，除傳統的可調直流偏壓外，近年來，又引入了高頻脈衝偏壓技術。脈衝的頻率、幅值、占空比可調，有單極脈衝，也有雙極脈衝。

　　這樣可使偏壓和基片溫度參數分別控製。

　　在基體上施加偏壓，可產生更大的電場力，使等離子體中部分正離子加速到達基片上轟擊和沉積。

　　即利用氣體放電產生等離子體，通過碰撞電離，除部分工作氣體電離外，使膜材原子也部分電離，同時在基片上加負偏壓，可對工作氣體和膜材的電離離子加速增加能量，且吸引它們到達基片;一邊轟擊基片，一邊沉積，這對膜的品質、性能均有較大改善。這是離子鍍技術最突出的特點。

　　離子鍍與蒸發鍍、濺射鍍的本質區別是前者在基片上施加負偏壓，後者在基片上未加負偏壓。

　　因此，在前麵講述過的各種蒸發鍍、濺射鍍技術中，若能在基片(導電基材)上施加一定幅值的直流或脈衝負偏壓，便可使其變成蒸發離子鍍、濺射離子鍍，統稱離子鍍。

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