真空蒸發鍍膜是在真空條件下，用蒸發器加熱蒸發物質使之汽化，蒸發粒子流直接射向基片並在基片上沉積形成固態薄膜的技術。

　　蒸鍍是物理氣相沉積(PVD)技 術中發展最早、應用較為廣泛的鍍膜技術，盡管後來發展起來的濺射鍍和離子鍍在許多方麵比蒸鍍優越，但真空蒸發鍍膜技術仍有許多優點，如設備與工藝相對比較簡單，即可沉積非常純淨的膜層，又可製備具有特定結構和性質的膜層等，仍然是當今非常重發的鍍膜技術。

　　近年來，由於電子轟擊蒸發、高頻感應蒸發以及激光蒸 發等技術在蒸發鍍膜技術中的廣泛應用，使這一技術更趨完善。

　　真空蒸發鍍膜的物理過程

　　將膜材置於真空室內的蒸發源中，在高真空條件下，通過蒸發源加熱使其蒸發，膜材蒸氣的原子和分子從蒸發源表麵逸出後，且當蒸氣分子的平均自由程大於真空室 的線性尺寸以後，很少受到其他分子或原子的衝擊與陰礙，可直接到過被鍍的基片表麵上，由於基片溫度較低，便凝結其上而成膜。

　　為了提高蒸發分子與基片的附著 力，對基片進行適當的加熱或郭清洗使其活化是必要的。

　　真空蒸發鍍膜從物料蒸發輸運到沉積成膜，經曆的物理過程為：

　　1)采用各種能源方式轉換成熱能，加熱膜材使之蒸發或升華，成為具有一定能量的氣態粒子;

　　2)離子膜材表麵，具有相當運動速度的氣態粒子以基本上無碰撞的直線飛行輸運到基片表麵;

　　3)到達基片表麵的氣態粒子凝聚形核後生長成固相薄膜;

　　4)組成薄膜的原子重組排列或產生化學鍵合。

　　為使蒸發鍍膜順利進行，應具備兩個條件：蒸發過程中的真空條件和鍍膜過程中的蒸發條件。

　　蒸發過程中的真空條件。蒸發鍍膜過程 中，從膜材表麵蒸發的粒子以一定的速度在空間沿直線運動，直到與其其他粒子碰撞為止。

　　在真空室內，當氣相中的粒子濃度和殘餘氣體的壓力足夠低時，這些粒子從蒸發源到基片之間可以保持直線飛行，否則，就會產生磁撞而改變運動方向。

　　為此，增加殘餘氣體 的平均自由程，借以減少其與蒸氣分子的碰撞幾率，把真空室內抽成高真空是必要的。當真空容器內蒸氣分子的平均自由程大於蒸發源與基片的距離時，就會獲得充 分的真空條件。

　　真空條件下物質的蒸發特點。膜材加熱到一定溫度時就會發生氣休現象，即由固相或液相進入到氣相，在真空條件下物質的蒸發比在常壓下容易得多，所需的蒸發溫度也大幅度下降，因此熔化蒸發過程縮短，蒸發效率明顯地提高。

　　液相或固相的膜材原子或分子要從其表麵逃逸出來必須獲得足夠的熱能，有足夠大的熱運動;當其垂直表麵的速度分量的動能足以克服原子或分子間想到吸引的能量 時，才可能逸出表麵，完成蒸發或升華。在蒸發過程中，膜材汽化的量與膜材受熱有密切關係。

　　加熱溫度越高，分子動能越大，蒸發或升華的粒子量就越多蒸發過程 不斷地消耗膜材的內能，要維持蒸發，就要不斷地補給膜材熱能。蒸發過程中膜材的蒸發速率及其影響因素等與其飽和蒸氣壓密切相關。

　　在一定溫度下，真空室中蒸發材料的蒸發在固相或液相分子平衡狀態下所呈現在壓力為飽和蒸氣壓。在飽和平衡狀態下，分子不斷地從冷凝液相或固相表麵蒸發，同時有相同數量的分子與冷凝液相或固相表麵相碰撞而返回到冷凝液相或固相中。

　　蒸發源。蒸發源是用來加熱膜材使之汽化蒸發的裝置。目前所用的蒸發源主要有電阻加熱、電子束加熱、感應加熱、電弧加熱和激光加熱等多種形式。

　　電阻加熱式蒸發源：電阻式蒸發源簡單、經濟、可靠，可以做成不同的容量、形狀並具有不同的電特性。

　　電子槍加熱蒸發源：有時很多材料不能用電阻加熱的形式蒸發，例如常用於可見光和近紅外光學器件鍍膜的絕緣材料。在這種情況下，必須采用電子束加熱方式。

　　電子束加熱所用的電子槍有多種類型可供選擇。多坩堝電子槍可采用一個源對多種材料進行蒸發，這種槍在鍍製多層膜且膜層較薄的工藝中應用效果很好。

　　當需要每種 鍍膜材料用量較大，或每個源都需要占用不同的位置時，可以選用單坩堝電子槍。電子槍所用電源的大小更多地取決於蒸發材料的導熱性，而不是其蒸發溫度。

　　電源 功率一般在4-10KW之間，對於大多數的絕緣材料，4KW就足夠了，而如果想達到很高的沉積速率，或在一個很大的真空室內對導熱材料進行蒸發時，則需要 10KW以上的更大功率的電源

　　電子束加熱原理：電子束加熱蒸發源是利用熱陰極發射電子在電場作用下成為高能量密度的電子束直接轟擊至鍍料上。電子束的動能轉化為熱能，使鍍料加熱汽化，完成蒸發鍍膜。

　　感應加熱式蒸發源：利用高頻電磁場感應加熱膜材使其汽化蒸發的裝置稱為感應加熱式蒸發源

　　感應加熱式蒸發源具有如下特點：

　　1)蒸發速率大。在卷繞蒸鍍膜中，當沉積鋁膜厚度為40nm時，卷繞速度可達270m/min,比電阻加熱式蒸發源高10倍左右。

　　2)蒸發源溫度均勻穩定，不易產生液滴飛濺現象。可避免液滴沉積在薄膜上產生針孔缺陷，提高膜層質量。

　　3)蒸發源一次裝料，無需送絲機構，溫度控製比較容易，操作簡單。

　　4)對膜材純度要求略寬此，如一般真空感應加熱式蒸發源用99.9%純度的鋁即可，而電阻加熱式蒸發源要求鋁的純度為99.39%，因此膜材的生產成本也可降低。

　　5)坩堝溫度較低，坩堝材料對膜導汙染較少。

　　激光加熱式蒸發源：激光束加熱蒸發的原理是利用激光源發射的光子束的光能作為加熱膜材的熱源，使膜材吸熱汽化蒸發，激光加熱蒸發技術是真空蒸發鍍膜工藝中的一項新技術。

　　電弧加熱蒸發源：電弧加熱蒸發源是在高真空下通過兩導電材料製成的電極之間產生電弧放電，利用電弧高溫使電極材料蒸發。

　　電弧源的形式有交流電弧放電、直流電弧放電和電子轟擊電弧放電等形式。

　　電弧加熱蒸發的優點是既可避免電阻加熱法中存在的加熱絲、坩堝與蒸發物質發生反應和汙染問題，還可以蒸發高熔點的難熔材料。

　　電弧加熱蒸發的缺點是電弧放電會飛濺出微米級的靶電極材料微粒，對膜層不利。

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