真空蒸鍍、濺射鍍膜、離子鍍膜各種沉積手段及方法混合運用是PVD技術最新進展之一，經過多種離子源的組合運用，可以解決單一沉積手段的缺點，獲得良好的效果，比如離子鍍，采用脈衝激光作為蒸發源，然後對蒸汽進行等離子體化，加上負偏壓，不但可以提高沉積速率，還可以改善沉積粒子的活性，提高沉積能量。

　　在蒸鍍中，采用熱絲電子發射，使蒸汽原子離化，就可以對基片加上偏壓，獲得具有轟擊效果的沉積膜層。

　　真空陰極電弧和磁控濺射技術組合在一起進行同時沉積的技術，也是近年來應用工業生產中的一種複合技術，其設備稱為多弧一磁控濺射多功能鍍膜機，用於離子摻金鍍膜。

　　麻豆成人影院在线观看室內安裝數個陰極蒸發源，陰極為鈦或鋯，中間裝有柱狀磁控濺射靶，靶材為金。首先按照多弧離子鍍的工藝參數和操作規程在鍍件上沉積TiN(或ZrN)鍍層，再開啟磁控濺射靶塗鍍(TiAu)N塗層，從而得到TiN +(TiAu)N的複合膜。

　　最後關閉多弧蒸發源的供電電源，使多弧蒸發源停止工作，隻用磁控濺射法在被鍍件表麵的最外一層沉積Au，則可得到TiN十(TiAu)N+ Au的多層複合膜。

　　摻金後的被鍍件經過耐腐蝕性和耐磨性試驗和測試，膜仍保持完整，膜層成分在摩擦前後基本保持一致：摩擦前Au為97.59%，Ti為2.41 %，摩擦後Au為95.46%，Ti為4.54%。摩擦條件是在1000g載荷下，在ML-10磨損試驗機上摩擦，往複次數為500次，摩擦蹤距離為9.42km。

　　複合式離子鍍膜設備采用孿生靶的先進技術，克服直流濺射固有的靶中毒、打火等不良弊病，可以鍍製諸如A1203、Si02氧化優質膜，使鍍件的抗氧化耐蝕性能又有所提高和改善。

　　複合式真空離子鍍膜設備，中心安裝柱狀多弧靶，靶材為鈦或鋯。

　　它不但能保持多弧技術離化率高、沉積速率快的特點，還能有效地降低小平麵多弧靶沉積過程中很難避免的“液滴”的缺陷，從而可以製備出低孔隙率的金屬薄膜或化合物薄膜;在周邊安裝了孿生平麵磁控，靶材為鋁或矽，可以鍍A1203或Si02金屬陶瓷膜;另外，在周邊還安裝了多個小平麵多弧蒸發源，靶材為鉻或鎳，可以鍍製多層金屬膜和多層複合膜。

　　複合式離子鍍膜設備由於具有多種不同形式鍍膜裝置及不同材質的蒸發源及濺射靶，它們既可以獨立地分別工作又可以同時工作，既能製備純金屬膜又能製備金屬化合物膜或複合材料膜;既能製備單層薄膜又能製備多層複合膜，用途極其廣泛。

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